芯片制造流程与工艺

一、芯片制造流程简介

1.1 硅片制备

  • 原料提纯:从石英砂中提取高纯度硅,制成单晶硅棒并切割为晶圆片。
  • 晶圆清洗:去除表面杂质,确保后续工艺的洁净度。

1.2 薄膜沉积

  • 氧化层 / 介质层沉积:通过热氧化或化学气相沉积(CVD)在晶圆表面生成二氧化硅(SiO₂)等绝缘层。
  • 金属层沉积:采用物理气相沉积(PVD)或电镀法形成铜、铝等金属互连层。
薄膜沉积层示例图

1.3 光刻工艺

  • 光刻胶涂覆 :在晶圆表面旋涂光敏材料( 光刻胶)。
  • 曝光与显影:通过掩膜版将电路图案投影到光刻胶上,显影后形成保护层。

1.4 刻蚀与掺杂

  • 干法 / 湿法刻蚀:利用等离子体或化学试剂去除未被光刻胶保护的薄膜,形成电路结构。
  • 离子注入:向特定区域掺入磷、硼等杂质,形成 N 型或 P 型半导体。

1.5 化学机械平坦化(CMP)

  • 作用阶段:在每层金属或介质层沉积后,通过 CMP 去除表面多余材料(如铜、氧化硅),实现全局平坦化。
  • 工艺目标:消除台阶效应,为下一层光刻提供平整基底,避免电路短路或信号干扰。
  • CMP 主要应用于以下关键节点:
    1. 金属互连层平坦化
      • 在铜或钨金属沉积后,通过 CMP 去除多余金属,仅保留沟槽内的布线结构,防止短路。
    2. 层间介质(ILD)平坦化
      • 氧化硅等绝缘层沉积后,CMP 消除表面起伏,确保光刻精度。
    3. 多晶硅层处理
      • 用于栅极结构平坦化,提升晶体管性能一致性。

1.6 多层互连重复

  • 上述步骤(薄膜沉积→光刻→刻蚀→掺杂→CMP)循环进行,构建多层金属互连结构(通常 6 层以上)。

1.7 封装与测试

  • 切割晶圆:将晶圆分割为单个芯片。
  • 封装:通过引线键合、塑封等工艺保护芯片并连接外部引脚。
  • 功能测试:验证芯片性能与可靠性。

二、Dummy 的作用

2.1 什么是 dummy

在芯片的空白区域(距离芯片设计图形 main pattern 大于 1um 左右开外),填充一些规整的矩形图形,不承担实际的任何芯片电路功能。虽不参与实际的功能运转,却对芯片这座假想的城市布局的稳定性至关重要。它由和芯片相同的材料构成,安静地 “待” 在芯片未被利用的空间里,不介入任何电路或逻辑运作。

为什么要加 dummy 呢?

芯片设计中,通常会出现 不均匀布局,这会导致芯片表面局部密度出现显著差异 。此外,为了提高良率, 在存储器或处理器中引入的冗余单元 (Redundancy Cells) 呈集中分布,这将进一步加剧芯片表面密度的波动。

在 CMP(化学机械平坦化)工艺过程中,需要做一些机械摩擦去除表面粗糙部位,对于表面材料分布不均匀的芯片,其不同区域因材料密度 (如金属、氧化物等) 的差异会导致抛光速率的不一致。低密度区域可能因过度抛光而出现凹陷(dishing),高密度区域可能因支撑不足而产生侵蚀(erosion)。这种抛光不均匀性会直接影响多层互连结构的平面度,进而引发短路或断路的问题。此外,金属线的侵蚀也会导致较为严重的 IR-Drop 以及信号线上的延迟。

为避免在图形平坦化过程中出现侵蚀和凹陷现象,需确保芯片整体密度的均匀性与一致性。通常的做法是在版图布线完成后,在标准单元间隙插入填充单元(如图 2 所示),填充单元是定义在标准单元库中且与电路逻辑无关的填充结构,即 Dummy。

dummy 常放在:

  • 边缘区域:在晶圆的边缘,由于工艺限制和机械应力的影响,这里往往不是最佳的功能电路布局区域。放置 dummy 结构可以减少这些区域对内部有效电路的影响,并有助于均匀化蚀刻等工艺步骤。

  • 切割道(scribe line, or street):划分各个芯片(die)的隐形边界,就像地图上的经纬线,为晶圆划片(dicing)提供精确引导,确保每个 die 被精准切割。

  • 器件周围:为了提高制造工艺的一致性,特别是在晶体管或其他关键器件周围放置 dummy 图案。这有助于确保在进行化学机械抛光(CMP)、蚀刻等制程时,能有更均匀的结果,从而减少局部不规则性带来的影响。

  • 空旷区域:如果某个区域没有功能性电路元件,可能会在这个区域内添加 dummy 结构。这样做不仅有助于平衡整个芯片表面的密度,还能帮助维持工艺步骤中如沉积、蚀刻等过程的稳定性。

  • 特定功能区:在某些情况下,dummy 结构可能被用于特定的技术目的,例如改善电磁特性、热管理或者作为测试结构的一部分。

2.2 dummy 的作用

  • 加固芯片 “防线”:Dummy 填充芯片空白区域,优化物理结构,增强晶圆边缘强度,有效减少划片和封装时芯片受损的可能,就像给脆弱的芯片边缘穿上了一层 “防护铠甲”。

  • 工艺的 “稳定器”:晶圆边缘与中心区域电路密度不同,容易导致工艺不均匀。Dummy 通过模拟中心区域的电路布局,使整个晶圆的工艺保持均匀一致,确保每一处芯片制造工艺都 “整齐划一”。

  • 制造过程的 “护航者”:光刻环节中,光线的反射与衍射容易引发曝光问题,导致蚀刻失败,影响关键元器件精度和尺寸。Dummy 能有效规避这些风险,保障制造顺利进行,让芯片制造的每一步都精准无误。

  • 应力与翘曲的 “调节师”:芯片制造工艺易引发晶圆应力不均和翘曲,影响性能。Dummy 能够平衡应力分布,让晶圆保持平整,确保芯片性能稳定可靠。

  • 信号的 “守护者”:在关键信号周围布置 Dummy 结构,能够有效阻挡杂波干扰,保证信号稳定传输,让芯片内部的 “信息高速公路” 畅通无阻。

  • 性能测试的 “小助手”:芯片设计完成后,Dummy 可以协助测试功耗、速度、温度等性能指标,帮助工程师全方位了解芯片性能,为后续优化提供依据。


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